GIS局部放電會造成哪些危害？
GIS局部放電的缺陷主要有四種，
(1)固定缺陷。
(2) GIS腔體內(nèi)可以移動的自由金屬微粒。
(3) 傳導部分接觸不良。
(4) 絕緣子制造時造成的內(nèi)部空隙和實驗閃絡引起的表面痕跡，還包括或是因電極的表面粗糙或是來自制造時嵌入的金屬微粒。
主要危害是會逐步引起絕緣擊穿，導致安全事故。
拓展資料
gis局部放電特高頻檢測的儀器，最早進入國內(nèi)的都是進口產(chǎn)品，包括英國dms公司，當時國內(nèi)局放技術還不成熟的時候，dms最早進入，由新加坡電力引入的。后來成為檢測gis局部放電的一種參考標準。
后來的德國pdsg公司的產(chǎn)品也進入中國，此類產(chǎn)品主要用于實驗室內(nèi)的研究，在現(xiàn)場使用需要很強的技術能力來操作。
上述是代表性的國外進口產(chǎn)品，從目前gis局放檢測的發(fā)展來看，檢測gis需要兩種以上的方式，即特高頻和超聲波同時使用是有效的檢測方式。
國內(nèi)的生產(chǎn)廠家包括，廈門紅相公司、杭州西湖電子、上海華乘電氣等，從目前現(xiàn)場使用情況來看，在現(xiàn)場復雜的電力運行環(huán)境中，有效的檢測和判斷分析gis的局放信號，上海華乘電氣的產(chǎn)品適合現(xiàn)場的復雜環(huán)境檢測，檢測的判斷準確性比較高。甚至已經(jīng)超過國外進口產(chǎn)品的性能。實戰(zhàn)經(jīng)驗比較多，適合于現(xiàn)實中的實際操作。
其他公司的產(chǎn)品也有各種代表，從現(xiàn)場的使用情況來看，都不盡相同，也有準確度的差別。
